氮化物半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510136195.3

申请日：

2005-12-20

公开(公告)号：

CN1805230A

公开(公告)日：

2006-07-19

发明(设计)人：

近藤雅文神川刚川口佳伸

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S510

IPC分类号：

H01S5028 H01S5343 H01L3300

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/10 登记生效日:20220402 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:夏普福山激光株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本广岛县福山市大门町旭1番地
2006-07-19	公开	公开
2006-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-06-01	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

近藤雅文 ;

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN102170090A ,2011-08-31

[2]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

长谷川義晃 ;

菅原岳 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28

[3]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法 [P].

中原健 ;

山口敦司 .

中国专利 :CN101305478A ,2008-11-12

[4]

Ⅲ族氮化物半导体元件及其制造方法、Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法和灯 [P].

三木久幸 ;

横山泰典 .

中国专利 :CN102017082A ,2011-04-13

[5]

氮化物半导体发光元件的制造方法以及氮化物半导体发光元件 [P].

竹内哲也 ;

柴田夏奈 ;

岩谷素显 ;

上山智 ;

仓本大 .

日本专利 :CN118715680A ,2024-09-27

[6]

氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

冈田卓也 .

日本专利 :CN119208471A ,2024-12-27

[7]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

希利尔·贝诺 ;

松仓勇介 ;

古泽优太 ;

和田贡 .

中国专利 :CN111052411A ,2020-04-21

[8]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111066161A ,2020-04-24

[9]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

持田笃范 ;

长谷川义晃 .

中国专利 :CN101540475A ,2009-09-23

[10]

氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

笔田麻佑子 ;

山田英司 .

中国专利 :CN102859723A ,2013-01-02

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