氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110082164.X

申请日：

2005-12-20

公开(公告)号：

CN102170090A

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

近藤雅文神川刚川口佳伸

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5028

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101120312498 IPC(主分类):H01S 5/028 专利申请号:201110082164X 申请日:20051220
2022-04-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/028 登记生效日:20220318 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:夏普福山激光株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本国广岛县福山市大门町旭1番地
2011-08-31	公开	公开
2013-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

近藤雅文 ;

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN1805230A ,2006-07-19

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN102097551B ,2011-06-15

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

吉田真治 ;

北川英夫 ;

冈口贵大 .

日本专利 :CN117561657A ,2024-02-13

[4]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置 [P].

佐藤恒辅 .

中国专利 :CN110391320B ,2019-10-29

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

黄宝亿 ;

朱广敏 ;

付小朝 ;

季辉 ;

丁晓民 .

中国专利 :CN101207167B ,2008-06-25

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

竹冈忠士 ;

栗栖彰宏 ;

花本哲也 ;

马修.先尼 .

中国专利 :CN104272477B ,2015-01-07

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN114388665B ,2025-06-27

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

川口靖利 ;

吉田真治 ;

冈口贵大 ;

中泽崇一 ;

林茂生 ;

畑雅幸 .

日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN102024885A ,2011-04-20

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