半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480042436.1

申请日：

2004-05-28

公开(公告)号：

CN1926686B

公开(公告)日：

2007-03-07

发明(设计)人：

八重樫铁男永井孝一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L27108 H01L218242

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张龙哺

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20040528 授权公告日:20100818 终止日期:20200528
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本国神奈川县变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107
2007-03-07	公开	公开
2007-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039187764 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2004800424361 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039187763 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2004800424361 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2010-08-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN100421236C ,2007-02-21

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊池秀明 ;

永井孝一 .

中国专利 :CN101116185A ,2008-01-30

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101702408A ,2010-05-05

[5]

半导体装置制造方法及其半导体装置 [P].

矢野尚 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1638060A ,2005-07-13

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

和泉宇俊 .

中国专利 :CN1954430B ,2007-04-25

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

久野敬史 ;

津间博基 ;

桑野聪 ;

添野明高 ;

金丸俊隆 ;

桥本健太 ;

柿本规行 ;

米田秀司 .

中国专利 :CN108346700B ,2018-07-31

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

冈崎拓行 .

日本专利 :CN116569313B ,2025-04-18

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

佐次田直也 ;

横田龙也 .

中国专利 :CN1926687B ,2007-03-07

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林敬介 ;

远藤诚 ;

井上潮美 .

日本专利 :CN117637825A ,2024-03-01

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