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半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610821505.3
申请日：
2011-03-18
公开(公告)号：
CN107098686B
公开(公告)日：
2017-08-29
发明(设计)人：
渡边守道 胜田祐司 早濑徹 神藤明日美
申请人：
申请人地址：
日本国爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号
IPC主分类号：
H01L21205
IPC分类号：
C04B35111 C04B3550 C04B35505 C04B35645
代理机构：
上海华诚知识产权代理有限公司 31300
代理人：
汤国华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2017-08-29 公开 公开
2017-09-22 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749366593 IPC(主分类):C04B 35/111 专利申请号:2016108215053 申请日:20110318
2020-08-11 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法 [P]. 
渡边守道 ;
胜田祐司 ;
早濑徹 .
中国专利 :CN102822116B ,2012-12-12
[2]
半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法 [P]. 
渡边守道 ;
胜田祐司 ;
早濑徹 ;
神藤明日美 .
中国专利 :CN102822115A ,2012-12-12
[3]
一种半导体制造装置用耐腐蚀性构件 [P]. 
钱钦川 ;
徐亚彬 .
中国专利 :CN221604189U ,2024-08-27
[4]
半导体制造装置用构件及其制法 [P]. 
竹林央史 ;
伊藤丈予 .
中国专利 :CN114864433A ,2022-08-05
[5]
半导体制造装置用构件及其制法 [P]. 
竹林央史 ;
伊藤丈予 .
中国专利 :CN114628308A ,2022-06-14
[6]
半导体制造装置用构件及其制法 [P]. 
竹林央史 ;
伊藤丈予 .
日本专利 :CN115210860B ,2025-07-15
[7]
半导体制造装置用构件及其制法 [P]. 
竹林央史 ;
伊藤丈予 .
日本专利 :CN114628308B ,2025-06-13
[8]
半导体制造装置用构件及其制法 [P]. 
石川征树 ;
赤塚祐司 ;
米本宪司 .
中国专利 :CN114724996A ,2022-07-08
[9]
半导体制造装置用构件及其制法 [P]. 
石川征树 ;
赤塚祐司 ;
米本宪司 .
日本专利 :CN114724996B ,2025-01-03
[10]
半导体制造装置用构件及其制法 [P]. 
竹林央史 ;
伊藤丈予 .
日本专利 :CN114864433B ,2025-06-17
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