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半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201180015911.6
申请日：
2011-03-18
公开(公告)号：
CN102822116B
公开(公告)日：
2012-12-12
发明(设计)人：
渡边守道
胜田祐司
早濑徹
申请人：
申请人地址：
日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号
IPC主分类号：
C04B3550
IPC分类号：
H01L21205
H01L213065
H01L21683
代理机构：
上海市华诚律师事务所 31210
代理人：
徐申民;李晓
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-01-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101389918985 IPC(主分类):C04B 35/50 专利申请号:2011800159116 申请日:20110318 |
| 2016-01-27 | 授权 | 授权 |
| 2012-12-12 | 公开 | 公开 |