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半导体制造装置用构件及其制法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210066855.9
申请日：
2022-01-20
公开(公告)号：
CN114864433B
公开(公告)日：
2025-06-17
发明(设计)人：
竹林央史
伊藤丈予
申请人：
日本碍子株式会社
申请人地址：
日本爱知县
IPC主分类号：
H01L21/67
IPC分类号：
H01L21/683
H05B3/03
H05B3/22
代理机构：
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人：
陈彦;郭玫
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-17 | 授权 | 授权 |