半导体制造装置用部件及其制法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710952345.0

申请日：

2017-10-13

公开(公告)号：

CN107958837B

公开(公告)日：

2018-04-24

发明(设计)人：

竹林央史

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21683 H01L2167

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶;陈彦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	授权	授权
2018-04-24	公开	公开
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171013

共 50 条

[1]

半导体制造装置用构件及其制法 [P].

竹林央史 ;

伊藤丈予 .

中国专利 :CN114628308A ,2022-06-14

[2]

半导体制造装置用构件及其制法 [P].

竹林央史 ;

伊藤丈予 .

日本专利 :CN114628308B ,2025-06-13

[3]

半导体制造装置用部件 [P].

来田雅裕 ;

早濑徹 ;

胜田祐司 .

中国专利 :CN102738044A ,2012-10-17

[4]

陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件 [P].

阿闭恭平 ;

西村升 ;

胜田祐司 .

中国专利 :CN107135560A ,2017-09-05

[5]

冷却板、其制法以及半导体制造装置用部件 [P].

神藤明日美 ;

井上胜弘 ;

胜田佑司 ;

片居木俊 ;

天野真悟 ;

杉本博哉 .

中国专利 :CN104254913B ,2014-12-31

[6]

冷却板、其制法以及半导体制造装置用部件 [P].

神藤明日美 ;

井上胜弘 ;

胜田佑司 ;

片居木俊 ;

天野真悟 ;

杉本博哉 .

中国专利 :CN104285290B ,2015-01-14

[7]

半导体制造装置用部件 [P].

大场教磨 ;

川尻哲也 ;

片居木俊 .

中国专利 :CN104064494A ,2014-09-24

[8]

半导体制造装置用部件及其制造方法 [P].

奈须孝有 ;

丹羽伦规 ;

岐部太一 .

中国专利 :CN105489541B ,2016-04-13

[9]

半导体制造装置用部件、半导体制造装置及半导体制造装置用部件的制造方法 [P].

A·塔斯利姆 .

日本专利 :CN121175794A ,2025-12-19

[10]

半导体制造装置用构件及其制法 [P].

竹林央史 ;

伊藤丈予 .

中国专利 :CN114864433A ,2022-08-05

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