一种IGBT功率模块封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201822202592.1

申请日：

2018-12-26

公开(公告)号：

CN209232774U

公开(公告)日：

2019-08-09

发明(设计)人：

谌容许海东

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市江宁区高湖路105号B座3楼

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

代理机构：

南京常青藤知识产权代理有限公司 32286

代理人：

仲晖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种IGBT功率模块封装结构 [P].

纪伟 ;

张若鸿 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN210156368U ,2020-03-17

[2]

IGBT功率模块封装结构 [P].

严大生 ;

马玉林 ;

王忠伟 ;

付小雷 ;

陈健洺 .

中国专利 :CN220963348U ,2024-05-14

[3]

IGBT功率模块的封装结构及采用该封装结构的IGBT功率模块 [P].

张凯 ;

刘刚 ;

孙峻峰 ;

任静 ;

谢云龙 ;

任成才 ;

王阔 ;

于丽阳 ;

王高虎 ;

祁招 ;

张文锦 .

中国专利 :CN112421934B ,2021-02-26

[4]

一种封装结构的IGBT功率模块 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

杨玉珍 ;

张永利 .

中国专利 :CN215731667U ,2022-02-01

[5]

一种功率模块封装结构 [P].

冯敏捷 .

中国专利 :CN221226209U ,2024-06-25

[6]

多单元IGBT功率模块的封装结构 [P].

李恊松 .

中国专利 :CN220526919U ,2024-02-23

[7]

宽CLIP的IGBT功率模块封装结构 [P].

李恊松 .

中国专利 :CN220526920U ,2024-02-23

[8]

一种IGBT功率模块结构 [P].

吕怀明 .

中国专利 :CN206117524U ,2017-04-19

[9]

IGBT功率模块温度测定方法及IGBT功率模块封装结构 [P].

汤越超 ;

李君伟 ;

梁剑 ;

王成吉 ;

王旻昊 ;

蒋昌健 ;

林庆宇 ;

朱佳俊 ;

谢家斌 .

中国专利 :CN119437463A ,2025-02-14

[10]

一种IGBT功率模块封装结构及其封装方法 [P].

袁磊 ;

王凯锋 ;

邱道权 ;

黄磊 ;

周灿 .

中国专利 :CN115332189B ,2022-11-11

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