半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03826593.1

申请日：

2003-09-05

公开(公告)号：

CN1788350A

公开(公告)日：

2006-06-14

发明(设计)人：

高松知广三浦寿良中村光宏立花宏俊小室玄一

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L2704 H01L213205 H01L21768 H01L21822

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

高龙鑫;王玉双

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20030905 授权公告日:20080528 终止日期:20200905
2008-05-28	授权	授权
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本国神奈川县变更后:日本东京都登记生效日:20081107
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038405531 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL038265931 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038405532 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL038265931 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2006-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

高松知广 ;

三浦寿良 ;

中村光宏 ;

立花宏俊 ;

小室玄一 .

中国专利 :CN100583436C ,2008-09-10

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

高松知广 ;

三浦寿良 ;

中村光宏 ;

立花宏俊 ;

小室玄一 .

中国专利 :CN101661940A ,2010-03-03

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

和泉宇俊 .

中国专利 :CN1914734A ,2007-02-14

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

佐次田直也 ;

横田龙也 .

中国专利 :CN1926687B ,2007-03-07

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

置田阳一 .

中国专利 :CN100428477C ,2005-11-02

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

大塚隆史 ;

中林隆 ;

柴田义行 .

中国专利 :CN1979870A ,2007-06-13

[7]

半导体装置制造方法及其半导体装置 [P].

矢野尚 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1638060A ,2005-07-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉富崇 ;

松本雅彦 .

中国专利 :CN1531080A ,2004-09-22

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