低电压、低功率带隙电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280065656.0

申请日：

2012-10-10

公开(公告)号：

CN104067192B

公开(公告)日：

2014-09-24

发明(设计)人：

H.V.特兰 A.利 T.吴 H.Q.阮

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G05F110

IPC分类号：

G05F302

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马丽娜;胡莉莉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-15	授权	授权
2014-09-24	公开	公开
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587749777 IPC(主分类):G05F 1/10 专利申请号:2012800656560 申请日:20121010

共 50 条

[1]

低功率和快速唤醒带隙电压基准电路 [P].

A·费舍尔 .

:CN120179002A ,2025-06-20

[2]

低电压能隙参考电路 [P].

张竟宏 ;

郭圳龙 ;

吴清堂 ;

吴忠政 ;

郑仲皓 .

中国专利 :CN103885519B ,2014-06-25

[3]

低电压带隙参考电路 [P].

P·卡丹卡 .

中国专利 :CN108628382A ,2018-10-09

[4]

低电压带隙参考电路 [P].

崔河琳 ;

申京旻 ;

安容星 .

韩国专利 :CN118092559A ,2024-05-28

[5]

带隙电压基准电路 [P].

刘帘曦 ;

牛越 ;

刘术彬 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN103941792B ,2014-07-23

[6]

低电压CMOS带隙基准电压源 [P].

范涛 ;

袁国顺 .

中国专利 :CN101630176B ,2010-01-20

[7]

低电压电流模式带隙电路及方法 [P].

马蒂亚斯·阿诺尔德 ;

阿西夫·加尧姆 .

中国专利 :CN107066023A ,2017-08-18

[8]

低电压带隙基准源电路 [P].

李天望 ;

姜黎 ;

袁涛 ;

万鹏 .

中国专利 :CN107390758B ,2017-11-24

[9]

一种低电压带隙基准源产生电路 [P].

汤华莲 ;

庄奕琪 ;

胡滨 ;

赵辉 ;

李勇强 .

中国专利 :CN102385412B ,2012-03-21

[10]

带隙参考电压产生电路 [P].

王巧星 .

中国专利 :CN104750157A ,2015-07-01

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