在半导体器件中形成孔结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980000210.1

申请日：

2019-01-25

公开(公告)号：

CN109863587B

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

杨罡赵祥辉郑标曾最新任连娟戴健

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京永新同创知识产权代理有限公司 11376

代理人：

林锦辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20190125
2019-06-07	公开	公开
2021-04-27	授权	授权

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成跳跃通孔结构的方法和半导体器件 [P].

C-C.杨 ;

L.A.克莱文杰 ;

B.A.安德森 ;

N.A.兰齐洛 .

中国专利 :CN110459502A ,2019-11-15

[2]

在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

朴赞光 ;

高尧焕 ;

黄圣敏 .

中国专利 :CN1129851A ,1996-08-28

[3]

在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

李相晤 ;

李圣权 ;

宣俊劦 ;

方钟植 .

中国专利 :CN102263057A ,2011-11-30

[4]

用于在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

黄昌渊 ;

李东德 ;

崔益寿 ;

李洪求 .

中国专利 :CN1885502A ,2006-12-27

[5]

用于在半导体器件中形成接触孔的方法 [P].

李敏硕 ;

李圣权 .

中国专利 :CN1885503A ,2006-12-27

[6]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[7]

在半导体器件中形成栅极的方法 [P].

朴启淳 .

中国专利 :CN1638047A ,2005-07-13

[8]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101211775B ,2008-07-02

[9]

在半导体器件中形成接触的方法 [P].

黄昌渊 ;

崔奉浩 ;

金正根 .

中国专利 :CN100514595C ,2005-07-20

[10]

在半导体器件中形成图形的方法 [P].

张翼英 ;

陈卓凡 .

中国专利 :CN107403719A ,2017-11-28

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