一种离子束刻蚀系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710680517.3
申请日
2017-08-10
公开(公告)号
CN107610994A
公开(公告)日
2018-01-19
发明(设计)人
李娜 胡冬冬 刘训春 许开东
申请人
申请人地址
221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
IPC主分类号
H01J3730
IPC分类号
H01J37305 H01J3702
代理机构
北京得信知识产权代理有限公司 11511
代理人
袁伟东;阿苏娜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种离子束刻蚀系统和离子束刻蚀方法 [P]. 
闫奎呈 ;
陈龙保 ;
刘海洋 ;
郭颂 ;
程实然 ;
胡冬冬 ;
石小丽 ;
许开东 .
中国专利 :CN117524821A ,2024-02-06
[2]
一种离子束刻蚀系统 [P]. 
胡冬冬 ;
李娜 ;
许开东 ;
邱勇 ;
车东晨 ;
陈璐 ;
陈兆超 .
中国专利 :CN109935513B ,2019-06-25
[3]
一种离子束刻蚀方法以及离子束刻蚀设备 [P]. 
蔡金东 ;
费跃 ;
刘子仪 ;
陈思奇 ;
范文轩 ;
全雪 ;
王焕焕 ;
葛斌 .
中国专利 :CN117954313A ,2024-04-30
[4]
离子束刻蚀机 [P]. 
王长梗 .
中国专利 :CN305928894S ,2020-07-17
[5]
离子束刻蚀机 [P]. 
佘鹏程 ;
陈庆广 ;
刘欣 ;
廖焕金 .
中国专利 :CN303551739S ,2016-01-13
[6]
离子束刻蚀设备 [P]. 
邓家乐 ;
巩小亮 ;
佘鹏程 ;
巴赛 ;
胡志坤 ;
石磊 ;
李彦斌 ;
何秋福 .
中国专利 :CN308913418S ,2024-10-29
[7]
离子束刻蚀方法 [P]. 
胡咏兵 .
中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25
[8]
离子束刻蚀系统以及装置 [P]. 
赵家琦 ;
苏晓磊 ;
李屹 .
中国专利 :CN223193754U ,2025-08-05
[9]
一种离子束刻蚀设备 [P]. 
胡凡 ;
彭立波 ;
佘鹏程 ;
龚俊 ;
陈特超 ;
程文进 ;
范江华 .
中国专利 :CN109524285B ,2019-03-26
[10]
一种离子束刻蚀控制系统 [P]. 
张海飞 ;
李正磊 ;
陈勇 .
中国专利 :CN223123386U ,2025-07-18