一种离子束刻蚀系统和离子束刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210907017.X

申请日：

2022-07-29

公开(公告)号：

CN117524821A

公开(公告)日：

2024-02-06

发明(设计)人：

闫奎呈陈龙保刘海洋郭颂程实然胡冬冬石小丽许开东

申请人：

江苏鲁汶仪器股份有限公司

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号

IPC主分类号：

H01J37/305

IPC分类号：

H01J37/302 H01L21/67

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李洋

法律状态：

公开

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-06	公开	公开
2024-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/305申请日:20220729

共 50 条

[1]

一种离子束刻蚀方法以及离子束刻蚀设备 [P].

蔡金东 ;

费跃 ;

刘子仪 ;

陈思奇 ;

范文轩 ;

全雪 ;

王焕焕 ;

葛斌 .

中国专利 :CN117954313A ,2024-04-30

[2]

离子束刻蚀方法 [P].

胡咏兵 .

中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25

[3]

离子束刻蚀机 [P].

王长梗 .

中国专利 :CN305928894S ,2020-07-17

[4]

离子束刻蚀机 [P].

佘鹏程 ;

陈庆广 ;

刘欣 ;

廖焕金 .

中国专利 :CN303551739S ,2016-01-13

[5]

离子束刻蚀设备 [P].

邓家乐 ;

巩小亮 ;

佘鹏程 ;

巴赛 ;

胡志坤 ;

石磊 ;

李彦斌 ;

何秋福 .

中国专利 :CN308913418S ,2024-10-29

[6]

离子束刻蚀方法及芯片 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

侯文宇 ;

贾原 ;

宋秋明 .

中国专利 :CN115050635A ,2022-09-13

[7]

离子束刻蚀方法及芯片 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

侯文宇 ;

贾原 ;

宋秋明 .

中国专利 :CN115050635B ,2025-10-17

[8]

一种离子束刻蚀系统 [P].

胡冬冬 ;

李娜 ;

许开东 ;

邱勇 ;

车东晨 ;

陈璐 ;

陈兆超 .

中国专利 :CN109935513B ,2019-06-25

[9]

一种离子束刻蚀系统 [P].

李娜 ;

胡冬冬 ;

刘训春 ;

许开东 .

中国专利 :CN107610994A ,2018-01-19

[10]

离子束刻蚀系统以及装置 [P].

赵家琦 ;

苏晓磊 ;

李屹 .

中国专利 :CN223193754U ,2025-08-05

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