离子束刻蚀设备

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN202430082091.2

申请日：

2024-02-06

公开(公告)号：

CN308913418S

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

邓家乐巩小亮佘鹏程巴赛胡志坤石磊李彦斌何秋福

申请人：

中国电子科技集团公司第四十八研究所

申请人地址：

410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

IPC主分类号：

15-99

IPC分类号：

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

周长清;赵朕毅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

离子束刻蚀机 [P].

王长梗 .

中国专利 :CN305928894S ,2020-07-17

[2]

离子束刻蚀机 [P].

佘鹏程 ;

陈庆广 ;

刘欣 ;

廖焕金 .

中国专利 :CN303551739S ,2016-01-13

[3]

一种离子束刻蚀方法以及离子束刻蚀设备 [P].

蔡金东 ;

费跃 ;

刘子仪 ;

陈思奇 ;

范文轩 ;

全雪 ;

王焕焕 ;

葛斌 .

中国专利 :CN117954313A ,2024-04-30

[4]

离子束刻蚀方法 [P].

胡咏兵 .

中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25

[5]

一种离子束刻蚀系统和离子束刻蚀方法 [P].

闫奎呈 ;

陈龙保 ;

刘海洋 ;

郭颂 ;

程实然 ;

胡冬冬 ;

石小丽 ;

许开东 .

中国专利 :CN117524821A ,2024-02-06

[6]

一种离子束刻蚀设备 [P].

胡凡 ;

彭立波 ;

佘鹏程 ;

龚俊 ;

陈特超 ;

程文进 ;

范江华 .

中国专利 :CN109524285B ,2019-03-26

[7]

一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法 [P].

范江华 ;

胡凡 ;

龚俊 ;

刘宇 ;

黄也 ;

程文进 .

中国专利 :CN112750738A ,2021-05-04

[8]

一种离子束刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

李娜 ;

韩大健 ;

彭泰彦 ;

杨宇新 ;

蒋中原 ;

郑枝源 ;

车东晨 ;

许开东 .

中国专利 :CN118116788A ,2024-05-31

[9]

一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法 [P].

范江华 ;

胡凡 ;

龚俊 ;

刘宇 ;

黄也 ;

程文进 .

中国专利 :CN112750738B ,2024-02-23

[10]

离子束刻蚀系统以及装置 [P].

赵家琦 ;

苏晓磊 ;

李屹 .

中国专利 :CN223193754U ,2025-08-05

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