一种离子束刻蚀设备及刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211508726.7

申请日：

2022-11-29

公开(公告)号：

CN118116788A

公开(公告)日：

2024-05-31

发明(设计)人：

李娜韩大健彭泰彦杨宇新蒋中原郑枝源车东晨许开东

申请人：

江苏鲁汶仪器股份有限公司

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号

IPC主分类号：

H01J37/317

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李洋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/317申请日:20221129
2024-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种离子束刻蚀方法以及离子束刻蚀设备 [P].

蔡金东 ;

费跃 ;

刘子仪 ;

陈思奇 ;

范文轩 ;

全雪 ;

王焕焕 ;

葛斌 .

中国专利 :CN117954313A ,2024-04-30

[2]

一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法 [P].

范江华 ;

胡凡 ;

龚俊 ;

刘宇 ;

黄也 ;

程文进 .

中国专利 :CN112750738A ,2021-05-04

[3]

一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法 [P].

范江华 ;

胡凡 ;

龚俊 ;

刘宇 ;

黄也 ;

程文进 .

中国专利 :CN112750738B ,2024-02-23

[4]

离子束刻蚀设备 [P].

邓家乐 ;

巩小亮 ;

佘鹏程 ;

巴赛 ;

胡志坤 ;

石磊 ;

李彦斌 ;

何秋福 .

中国专利 :CN308913418S ,2024-10-29

[5]

一种离子束刻蚀系统和离子束刻蚀方法 [P].

闫奎呈 ;

陈龙保 ;

刘海洋 ;

郭颂 ;

程实然 ;

胡冬冬 ;

石小丽 ;

许开东 .

中国专利 :CN117524821A ,2024-02-06

[6]

离子束刻蚀方法 [P].

胡咏兵 .

中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25

[7]

一种离子束刻蚀机及其刻蚀方法 [P].

施春燕 .

中国专利 :CN105957790B ,2016-09-21

[8]

一种离子束刻蚀设备 [P].

胡凡 ;

彭立波 ;

佘鹏程 ;

龚俊 ;

陈特超 ;

程文进 ;

范江华 .

中国专利 :CN109524285B ,2019-03-26

[9]

离子束刻蚀方法及芯片 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

侯文宇 ;

贾原 ;

宋秋明 .

中国专利 :CN115050635B ,2025-10-17

[10]

离子束刻蚀方法及芯片 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

侯文宇 ;

贾原 ;

宋秋明 .

中国专利 :CN115050635A ,2022-09-13

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