离子束刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311389674.0

申请日：

2023-10-25

公开(公告)号：

CN119890037A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

胡咏兵

申请人：

东莞新科技术研究开发有限公司

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/465 H01L21/67

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

杨嘉怡

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开

共 50 条

[1]

离子束刻蚀机 [P].

王长梗 .

中国专利 :CN305928894S ,2020-07-17

[2]

离子束刻蚀机 [P].

佘鹏程 ;

陈庆广 ;

刘欣 ;

廖焕金 .

中国专利 :CN303551739S ,2016-01-13

[3]

用于离子束刻蚀预热稳定装置及离子束刻蚀预热稳定方法 [P].

郑林 ;

石慧 ;

李媛 ;

王殿良 ;

李金 ;

吴洪文 .

中国专利 :CN111146059A ,2020-05-12

[4]

离子束刻蚀深度的监测方法 [P].

杨赛 ;

盛斌 ;

张大伟 ;

唐庆勇 ;

陈鹏 .

中国专利 :CN103824790A ,2014-05-28

[5]

一种离子束刻蚀机及其刻蚀方法 [P].

施春燕 .

中国专利 :CN105957790B ,2016-09-21

[6]

一种离子束刻蚀系统和离子束刻蚀方法 [P].

闫奎呈 ;

陈龙保 ;

刘海洋 ;

郭颂 ;

程实然 ;

胡冬冬 ;

石小丽 ;

许开东 .

中国专利 :CN117524821A ,2024-02-06

[7]

一种离子束刻蚀方法以及离子束刻蚀设备 [P].

蔡金东 ;

费跃 ;

刘子仪 ;

陈思奇 ;

范文轩 ;

全雪 ;

王焕焕 ;

葛斌 .

中国专利 :CN117954313A ,2024-04-30

[8]

离子束刻蚀设备 [P].

邓家乐 ;

巩小亮 ;

佘鹏程 ;

巴赛 ;

胡志坤 ;

石磊 ;

李彦斌 ;

何秋福 .

中国专利 :CN308913418S ,2024-10-29

[9]

触持阴极离子束刻蚀机 [P].

陈绍金 .

中国专利 :CN2281555Y ,1998-05-13

[10]

离子束刻蚀方法及芯片 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

侯文宇 ;

贾原 ;

宋秋明 .

中国专利 :CN115050635A ,2022-09-13

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