用于离子束刻蚀预热稳定装置及离子束刻蚀预热稳定方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010003592.8

申请日：

2020-01-03

公开(公告)号：

CN111146059A

公开(公告)日：

2020-05-12

发明(设计)人：

郑林石慧李媛王殿良李金吴洪文

申请人：

申请人地址：

300131 天津市红桥区丁字沽一号路268号

IPC主分类号：

H01J3702

IPC分类号：

H01J3704 H01J37305

代理机构：

天津盛理知识产权代理有限公司 12209

代理人：

刘英梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/02 申请日:20200103
2020-05-12	公开	公开

共 50 条

[1]

离子束刻蚀方法 [P].

胡咏兵 .

中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25

[2]

离子束刻蚀机 [P].

王长梗 .

中国专利 :CN305928894S ,2020-07-17

[3]

离子束刻蚀机 [P].

佘鹏程 ;

陈庆广 ;

刘欣 ;

廖焕金 .

中国专利 :CN303551739S ,2016-01-13

[4]

离子束刻蚀设备 [P].

邓家乐 ;

巩小亮 ;

佘鹏程 ;

巴赛 ;

胡志坤 ;

石磊 ;

李彦斌 ;

何秋福 .

中国专利 :CN308913418S ,2024-10-29

[5]

一种离子束刻蚀系统和离子束刻蚀方法 [P].

闫奎呈 ;

陈龙保 ;

刘海洋 ;

郭颂 ;

程实然 ;

胡冬冬 ;

石小丽 ;

许开东 .

中国专利 :CN117524821A ,2024-02-06

[6]

一种离子束刻蚀方法以及离子束刻蚀设备 [P].

蔡金东 ;

费跃 ;

刘子仪 ;

陈思奇 ;

范文轩 ;

全雪 ;

王焕焕 ;

葛斌 .

中国专利 :CN117954313A ,2024-04-30

[7]

离子束刻蚀方法及芯片 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

侯文宇 ;

贾原 ;

宋秋明 .

中国专利 :CN115050635A ,2022-09-13

[8]

离子束刻蚀方法及芯片 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

侯文宇 ;

贾原 ;

宋秋明 .

中国专利 :CN115050635B ,2025-10-17

[9]

触持阴极离子束刻蚀机 [P].

陈绍金 .

中国专利 :CN2281555Y ,1998-05-13

[10]

离子束刻蚀深度的监测方法 [P].

杨赛 ;

盛斌 ;

张大伟 ;

唐庆勇 ;

陈鹏 .

中国专利 :CN103824790A ,2014-05-28

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