离子束刻蚀方法及芯片

被引：0

申请号：

CN202210635650.8

申请日：

2022-06-07

公开(公告)号：

CN115050635A

公开(公告)日：

2022-09-13

发明(设计)人：

田金鹏张文伟杨光帅侯文宇贾原宋秋明

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙) 44507

代理人：

张传义

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-13	公开	公开
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20220607

共 50 条

[1]

离子束刻蚀方法及芯片 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

侯文宇 ;

贾原 ;

宋秋明 .

中国专利 :CN115050635B ,2025-10-17

[2]

一种离子束刻蚀系统和离子束刻蚀方法 [P].

闫奎呈 ;

陈龙保 ;

刘海洋 ;

郭颂 ;

程实然 ;

胡冬冬 ;

石小丽 ;

许开东 .

中国专利 :CN117524821A ,2024-02-06

[3]

一种离子束刻蚀方法以及离子束刻蚀设备 [P].

蔡金东 ;

费跃 ;

刘子仪 ;

陈思奇 ;

范文轩 ;

全雪 ;

王焕焕 ;

葛斌 .

中国专利 :CN117954313A ,2024-04-30

[4]

离子束刻蚀方法 [P].

胡咏兵 .

中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25

[5]

离子束刻蚀机 [P].

王长梗 .

中国专利 :CN305928894S ,2020-07-17

[6]

离子束刻蚀机 [P].

佘鹏程 ;

陈庆广 ;

刘欣 ;

廖焕金 .

中国专利 :CN303551739S ,2016-01-13

[7]

离子束刻蚀设备 [P].

邓家乐 ;

巩小亮 ;

佘鹏程 ;

巴赛 ;

胡志坤 ;

石磊 ;

李彦斌 ;

何秋福 .

中国专利 :CN308913418S ,2024-10-29

[8]

用于离子束刻蚀预热稳定装置及离子束刻蚀预热稳定方法 [P].

郑林 ;

石慧 ;

李媛 ;

王殿良 ;

李金 ;

吴洪文 .

中国专利 :CN111146059A ,2020-05-12

[9]

一种离子束刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

李娜 ;

韩大健 ;

彭泰彦 ;

杨宇新 ;

蒋中原 ;

郑枝源 ;

车东晨 ;

许开东 .

中国专利 :CN118116788A ,2024-05-31

[10]

离子束刻蚀深度的监测方法 [P].

杨赛 ;

盛斌 ;

张大伟 ;

唐庆勇 ;

陈鹏 .

中国专利 :CN103824790A ,2014-05-28

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