一种半导体二极管酸洗系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810534883.2
申请日
2018-05-29
公开(公告)号
CN108735634B
公开(公告)日
2018-11-02
发明(设计)人
陈欣洁 张家俊
申请人
申请人地址
122000 辽宁省朝阳市龙城区文化路五段105
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
代理机构
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348
代理人
侯蔚寰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体二极管酸洗处理系统 [P]. 
陈涛 .
中国专利 :CN108766911B ,2018-11-06
[2]
用于半导体二极管的酸洗槽 [P]. 
张心波 .
中国专利 :CN201655760U ,2010-11-24
[3]
一种半导体二极管制造工艺 [P]. 
陈欣洁 ;
张家俊 .
中国专利 :CN108735600A ,2018-11-02
[4]
半导体二极管 [P]. 
杨明宗 ;
李东兴 .
中国专利 :CN102842621A ,2012-12-26
[5]
半导体二极管 [P]. 
H-J·舒尔策 ;
J·G·拉文 ;
R·巴布斯克 .
中国专利 :CN105006489B ,2015-10-28
[6]
半导体二极管 [P]. 
叶惠东 .
中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13
[7]
半导体二极管 [P]. 
W·克勒 .
中国专利 :CN1283309A ,2001-02-07
[8]
半导体二极管 [P]. 
陈硕懋 .
中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18
[9]
一种半导体二极管生产工艺 [P]. 
陈涛 .
中国专利 :CN108807172B ,2018-11-13
[10]
一种半导体二极管 [P]. 
裴瑞山 .
中国专利 :CN208028044U ,2018-10-30