一种半导体二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820609201.5

申请日：

2018-04-26

公开(公告)号：

CN208028044U

公开(公告)日：

2018-10-30

发明(设计)人：

裴瑞山

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市增城区荔城街荔乡路81号8楼816

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

H01L23367 H01L23373 H01L2360 H01L23492

代理机构：

深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙) 44394

代理人：

胡慧

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/29 登记生效日:20191227 变更事项:专利权人变更前权利人:裴瑞山变更后权利人:深圳市锐骏半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:510000 广东省广州市增城区荔城街荔乡路81号8楼816 变更后权利人:518000 广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼
2018-10-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体二极管 [P].

叶惠东 .

中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13

[2]

一种半导体二极管 [P].

张月梅 .

中国专利 :CN213420861U ,2021-06-11

[3]

一种半导体二极管 [P].

刘秀军 .

中国专利 :CN207558803U ,2018-06-29

[4]

一种半导体二极管 [P].

崔群 ;

王毅 ;

胡学同 ;

李海琳 ;

陆叶兴 .

中国专利 :CN218160387U ,2022-12-27

[5]

半导体二极管 [P].

杨明宗 ;

李东兴 .

中国专利 :CN102842621A ,2012-12-26

[6]

半导体二极管 [P].

H-J·舒尔策 ;

J·G·拉文 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN105006489B ,2015-10-28

[7]

半导体二极管 [P].

W·克勒 .

中国专利 :CN1283309A ,2001-02-07

[8]

半导体二极管 [P].

陈硕懋 .

中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18

[9]

一种稳压半导体二极管 [P].

许霞林 .

中国专利 :CN205028901U ,2016-02-10

[10]

一种高效半导体二极管 [P].

陈章林 .

中国专利 :CN201975395U ,2011-09-14

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