一种半导体二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022315974.2

申请日：

2020-10-18

公开(公告)号：

CN213420861U

公开(公告)日：

2021-06-11

发明(设计)人：

张月梅

申请人：

申请人地址：

362141 福建省泉州市惠安县东桥镇后建村后曾542号

IPC主分类号：

F21S806

IPC分类号：

F21V2114 F21V2134 F21V2130 F21V2983 F21V2300 F21V2976 F21V2970 F21V3100 H01L3348 H01L3364 F21Y11510

代理机构：

北京艾皮专利代理有限公司 11777

代理人：

杨克

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体二极管 [P].

叶惠东 .

中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13

[2]

一种稳压半导体二极管 [P].

许霞林 .

中国专利 :CN205028901U ,2016-02-10

[3]

一种半导体二极管 [P].

裴瑞山 .

中国专利 :CN208028044U ,2018-10-30

[4]

一种半导体二极管 [P].

刘秀军 .

中国专利 :CN207558803U ,2018-06-29

[5]

一种半导体二极管 [P].

崔群 ;

王毅 ;

胡学同 ;

李海琳 ;

陆叶兴 .

中国专利 :CN218160387U ,2022-12-27

[6]

半导体二极管 [P].

杨明宗 ;

李东兴 .

中国专利 :CN102842621A ,2012-12-26

[7]

半导体二极管 [P].

H-J·舒尔策 ;

J·G·拉文 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN105006489B ,2015-10-28

[8]

半导体二极管 [P].

W·克勒 .

中国专利 :CN1283309A ,2001-02-07

[9]

半导体二极管 [P].

陈硕懋 .

中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18

[10]

一种高效半导体二极管 [P].

陈章林 .

中国专利 :CN201975395U ,2011-09-14

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	授权	授权
2021-10-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):F21S 8/06 登记生效日:20211009 变更事项:专利权人变更前权利人:张月梅变更后权利人:深圳市庆隆技术服务中心变更事项:地址变更前权利人:362141 福建省泉州市惠安县东桥镇后建村后曾542号变更后权利人:518000 广东省深圳市南山区南山街道南山社区南新路阳光科创中心一期A座3105A-8