一种半导体二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721356776.2

申请日：

2017-10-20

公开(公告)号：

CN207558803U

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

刘秀军

申请人：

申请人地址：

247100 安徽省池州市贵池区杏花江南3幢105、106室

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2349

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	授权	授权
2019-10-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20171020 授权公告日:20180629 终止日期:20181020

共 50 条

[1]

半导体二极管 [P].

叶惠东 .

中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13

[2]

一种高效半导体二极管 [P].

陈章林 .

中国专利 :CN201975395U ,2011-09-14

[3]

一种半导体二极管 [P].

裴瑞山 .

中国专利 :CN208028044U ,2018-10-30

[4]

一种半导体二极管 [P].

张月梅 .

中国专利 :CN213420861U ,2021-06-11

[5]

一种半导体二极管 [P].

崔群 ;

王毅 ;

胡学同 ;

李海琳 ;

陆叶兴 .

中国专利 :CN218160387U ,2022-12-27

[6]

半导体二极管 [P].

杨明宗 ;

李东兴 .

中国专利 :CN102842621A ,2012-12-26

[7]

半导体二极管 [P].

H-J·舒尔策 ;

J·G·拉文 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN105006489B ,2015-10-28

[8]

半导体二极管 [P].

W·克勒 .

中国专利 :CN1283309A ,2001-02-07

[9]

半导体二极管 [P].

陈硕懋 .

中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18

[10]

一种稳压半导体二极管 [P].

许霞林 .

中国专利 :CN205028901U ,2016-02-10

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