一种电池背面氮化硅膜层、PERC电池及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010329604.6

申请日：

2020-04-24

公开(公告)号：

CN111416002A

公开(公告)日：

2020-07-14

发明(设计)人：

朱浩万柳斌吴朋朋张基勇蒋柱方雯

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L31054 H01L31068 H01L3118 H01L2167

代理机构：

安徽知问律师事务所 34134

代理人：

代群群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20200424
2020-07-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种电池背面氮化硅膜层、PERC电池及制备方法 [P].

朱浩 ;

万柳斌 ;

吴朋朋 ;

张基勇 ;

蒋柱 ;

方雯 .

中国专利 :CN111416002B ,2025-07-29

[2]

一种电池背面氮化硅膜层和PERC电池 [P].

朱浩 ;

万柳斌 ;

吴朋朋 ;

张基勇 ;

蒋柱 ;

方雯 .

中国专利 :CN211507647U ,2020-09-15

[3]

PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法 [P].

朱露 ;

孙铁囤 ;

姚伟忠 .

中国专利 :CN107731960A ,2018-02-23

[4]

一种PERC电池背面氮化硅膜厚的检测方法 [P].

朱露 .

中国专利 :CN107612504A ,2018-01-19

[5]

perc电池背面氮化硅多层膜的制备装置 [P].

何飞 ;

蔡鹏 ;

李亚楠 .

中国专利 :CN216274365U ,2022-04-12

[6]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[7]

一种PERC电池的背面结构层 [P].

张士成 ;

童锐 .

中国专利 :CN213752720U ,2021-07-20

[8]

一种用于PERC电池的背面氮化硅开孔方法 [P].

郭卫 ;

赵科巍 ;

李雪方 ;

吕涛 .

中国专利 :CN115663065A ,2023-01-31

[9]

一种用于PERC电池的背面氮化硅开孔方法 [P].

郭卫 ;

赵科巍 ;

李雪方 ;

吕涛 .

中国专利 :CN115663065B ,2025-10-21

[10]

氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法 [P].

赵学玲 ;

范志东 ;

李倩 ;

李永超 ;

王涛 ;

解占壹 .

中国专利 :CN102856174A ,2013-01-02

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