一种PERC电池背面氮化硅膜厚的检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710831424.6

申请日：

2017-09-15

公开(公告)号：

CN107612504A

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

朱露

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号

IPC主分类号：

H02S5015

IPC分类号：

代理机构：

常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258

代理人：

王美华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02S 50/15 申请日:20170915
2018-01-19	公开	公开
2019-07-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/66 申请公布日:20180119

共 50 条

[1]

PERC电池背面氮化硅多层膜的制备方法 [P].

朱露 ;

孙铁囤 ;

姚伟忠 .

中国专利 :CN107731960A ,2018-02-23

[2]

一种电池背面氮化硅膜层和PERC电池 [P].

朱浩 ;

万柳斌 ;

吴朋朋 ;

张基勇 ;

蒋柱 ;

方雯 .

中国专利 :CN211507647U ,2020-09-15

[3]

一种电池背面氮化硅膜层、PERC电池及制备方法 [P].

朱浩 ;

万柳斌 ;

吴朋朋 ;

张基勇 ;

蒋柱 ;

方雯 .

中国专利 :CN111416002B ,2025-07-29

[4]

一种电池背面氮化硅膜层、PERC电池及制备方法 [P].

朱浩 ;

万柳斌 ;

吴朋朋 ;

张基勇 ;

蒋柱 ;

方雯 .

中国专利 :CN111416002A ,2020-07-14

[5]

perc电池背面氮化硅多层膜的制备装置 [P].

何飞 ;

蔡鹏 ;

李亚楠 .

中国专利 :CN216274365U ,2022-04-12

[6]

一种用于PERC电池的背面氮化硅开孔方法 [P].

郭卫 ;

赵科巍 ;

李雪方 ;

吕涛 .

中国专利 :CN115663065A ,2023-01-31

[7]

一种用于PERC电池的背面氮化硅开孔方法 [P].

郭卫 ;

赵科巍 ;

李雪方 ;

吕涛 .

中国专利 :CN115663065B ,2025-10-21

[8]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[9]

去除硅片背面氮化硅膜的方法 [P].

刘须电 ;

荣毅 ;

仓凌盛 ;

王明琪 .

中国专利 :CN101118855A ,2008-02-06

[10]

基于LPCVD生长厚氮化硅膜的方法及厚氮化硅膜结构 [P].

余巨峰 ;

李轶 ;

杜晓阳 .

中国专利 :CN118053735A ,2024-05-17

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