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一种靶材安装结构、磁控溅射设备及磁控溅射方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110058551.3
申请日
:
2021-01-16
公开(公告)号
:
CN112899627B
公开(公告)日
:
2021-06-04
发明(设计)人
:
卢静
申请人
:
申请人地址
:
400000 重庆市沙坪坝区陈家桥镇
IPC主分类号
:
C23C1435
IPC分类号
:
代理机构
:
重庆志一加诚专利代理事务所(普通合伙) 50278
代理人
:
邓波
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-04
公开
公开
2022-09-27
授权
授权
2021-06-22
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20210116
共 50 条
[1]
磁控溅射组件、磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
罗建恒
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罗建恒
;
杨帆
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杨帆
;
耿宏伟
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耿宏伟
;
李庆明
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李庆明
.
中国专利
:CN113699495A
,2021-11-26
[2]
磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
张峰
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张峰
;
杜晓健
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杜晓健
;
辛旭
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辛旭
;
李岩
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李岩
.
中国专利
:CN104213089A
,2014-12-17
[3]
磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
解传佳
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机构:
苏州迈为科技股份有限公司
苏州迈为科技股份有限公司
解传佳
;
武瑞军
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机构:
苏州迈为科技股份有限公司
苏州迈为科技股份有限公司
武瑞军
;
潘俊杰
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机构:
苏州迈为科技股份有限公司
苏州迈为科技股份有限公司
潘俊杰
;
罗金豪
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机构:
苏州迈为科技股份有限公司
苏州迈为科技股份有限公司
罗金豪
;
赵贤贵
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机构:
苏州迈为科技股份有限公司
苏州迈为科技股份有限公司
赵贤贵
.
中国专利
:CN117604477A
,2024-02-27
[4]
一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备
[P].
魏钰
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魏钰
;
宋博韬
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宋博韬
;
成军
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成军
;
刘宁
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刘宁
.
中国专利
:CN205934012U
,2017-02-08
[5]
一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
文莉辉
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文莉辉
.
中国专利
:CN104112640A
,2014-10-22
[6]
一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
籍龙占
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籍龙占
;
张晓岚
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张晓岚
;
吴历清
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吴历清
;
谢丑相
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谢丑相
;
王国昌
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王国昌
.
中国专利
:CN111235540A
,2020-06-05
[7]
一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
陈洋
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机构:
苏州华博电子科技有限公司
苏州华博电子科技有限公司
陈洋
.
中国专利
:CN119144931A
,2024-12-17
[8]
一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
陈洋
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机构:
苏州华博电子科技有限公司
苏州华博电子科技有限公司
陈洋
.
中国专利
:CN119144931B
,2025-04-04
[9]
一种磁控溅射设备靶材
[P].
毛成飞
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毛成飞
;
洪耀
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洪耀
;
张民井
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张民井
;
曹瑞丰
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曹瑞丰
;
郭丰
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郭丰
;
高裕弟
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高裕弟
;
孙剑
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孙剑
.
中国专利
:CN206376000U
,2017-08-04
[10]
一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
[P].
籍龙占
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机构:
杭州朗旭新材料科技有限公司
杭州朗旭新材料科技有限公司
籍龙占
;
张晓岚
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机构:
杭州朗旭新材料科技有限公司
杭州朗旭新材料科技有限公司
张晓岚
;
吴历清
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机构:
杭州朗旭新材料科技有限公司
杭州朗旭新材料科技有限公司
吴历清
;
谢丑相
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机构:
杭州朗旭新材料科技有限公司
杭州朗旭新材料科技有限公司
谢丑相
;
王国昌
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机构:
杭州朗旭新材料科技有限公司
杭州朗旭新材料科技有限公司
王国昌
.
中国专利
:CN111235540B
,2024-03-29
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