晶片的单片式蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780004139.1

申请日：

2007-01-24

公开(公告)号：

CN101379599B

公开(公告)日：

2009-03-04

发明(设计)人：

古屋田荣桥井友裕村山克彦高石和成加藤健夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

熊玉兰;孙秀武

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-04	授权	授权
2009-03-04	公开	公开
2009-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

晶片的单片式蚀刻装置 [P].

加藤健夫 ;

桥井友裕 ;

村山克彦 ;

古屋田荣 ;

高石和成 .

中国专利 :CN101256955A ,2008-09-03

[2]

晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备 [P].

加藤健夫 ;

桥井友裕 ;

村山克彦 ;

古屋田荣 ;

高石和成 .

中国专利 :CN101276756A ,2008-10-01

[3]

单片式湿法蚀刻系统 [P].

李雨庭 ;

王尧林 ;

朱焱均 ;

赵大国 ;

燕强 ;

刘康华 .

中国专利 :CN218274530U ,2023-01-10

[4]

用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法 [P].

西村茂树 .

中国专利 :CN1648287A ,2005-08-03

[5]

晶片蚀刻系统和使用所述晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法 [P].

柳基龙 ;

朴生万 ;

内山昌彦 .

中国专利 :CN104246991A ,2014-12-24

[6]

一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法 [P].

刘岳良 .

中国专利 :CN1169197C ,2002-10-30

[7]

蚀刻硅晶片边缘的方法 [P].

H·F·埃瑞克 ;

P·D·阿尔布雷克特 ;

E·R·霍兰德 ;

T·E·多恩 ;

J·A·施密特 ;

R·R·旺达姆 ;

G·张 .

中国专利 :CN101981664A ,2011-02-23

[8]

晶片蚀刻装置和使用该装置的晶片蚀刻方法 [P].

朴生万 ;

吴丞倍 .

中国专利 :CN104137234A ,2014-11-05

[9]

结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法 [P].

洪亨杓 ;

李在连 ;

朴勉奎 ;

林大成 .

中国专利 :CN103890139A ,2014-06-25

[10]

结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法 [P].

朴勉奎 ;

洪亨杓 ;

林大成 .

中国专利 :CN104294368A ,2015-01-21

← 1 2 3 4 5 →