正性光致抗蚀剂组合物及抗蚀图形的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03143079.1

申请日：

2003-06-19

公开(公告)号：

CN1278185C

公开(公告)日：

2004-01-21

发明(设计)人：

馆俊聪片野彰新仓聪

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G03F7039

IPC分类号：

G03F700 G02F113 H01L21027

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-19	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-10-04	授权	授权
2004-01-21	公开	公开
2004-03-31	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

正性光致抗蚀剂组合物 [P].

文奉锡 ;

金孝精 ;

金珍坤 ;

柳漾泫 ;

金敃志 ;

郑美敬 ;

柳权壹 ;

郑乐七 ;

金先镐 .

中国专利 :CN101116036B ,2008-01-30

[2]

正型光致抗蚀剂组合物与抗蚀剂图案的形成方法 [P].

久保敦子 ;

大内康秀 ;

宫城贤 .

中国专利 :CN1235090C ,2004-01-21

[3]

正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法 [P].

馆俊聪 ;

中山一彦 ;

土井宏介 .

中国专利 :CN1484095A ,2004-03-24

[4]

正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法 [P].

森尾公隆 ;

青木知三郎 ;

加藤哲也 ;

中岛哲矢 .

中国专利 :CN1324401C ,2004-09-01

[5]

系统LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法 [P].

土井宏介 ;

新仓聪 ;

大内康秀 .

中国专利 :CN1300636C ,2005-02-02

[6]

化学放大型正性光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法 [P].

丸山健治 ;

栗原政树 ;

宫城贤 ;

新仓聪 ;

嶋谷聪 ;

增岛正宏 ;

新田和行 ;

山口敏弘 ;

土井宏介 .

中国专利 :CN1698016A ,2005-11-16

[7]

正性光致抗蚀剂和形成光致抗蚀剂的方法 [P].

增田靖男 ;

奥井俊树 .

中国专利 :CN100404573C ,2006-08-23

[8]

LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图形的形成方法 [P].

大内康秀 ;

中山一彦 ;

丸山健治 ;

土井宏介 .

中国专利 :CN1519648A ,2004-08-11

[9]

正型抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法 [P].

染谷和也 ;

山口敏弘 ;

青木知三郎 .

中国专利 :CN102650830B ,2012-08-29

[10]

LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物和抗蚀图的形成方法 [P].

片野彰 ;

中山一彦 ;

新仓聪 ;

土井宏介 .

中国专利 :CN1720484B ,2006-01-11

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