一种磷化铟衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110481295.9

申请日：

2021-04-30

公开(公告)号：

CN113206007B

公开(公告)日：

2021-08-03

发明(设计)人：

刘兴达周锐柯尊斌吴怀东

申请人：

申请人地址：

211299 江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341

代理人：

李建芳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	授权	授权
2021-08-03	公开	公开
2021-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210430

共 50 条

[1]

磷化铟衬底、检查磷化铟衬底的方法和制造磷化铟衬底的方法 [P].

藤原新也 ;

樋口恭明 .

中国专利 :CN107112201B ,2017-08-29

[2]

磷化铟衬底和制造磷化铟衬底的方法 [P].

藤原新也 ;

樋口恭明 .

中国专利 :CN111952150A ,2020-11-17

[3]

一种磷化铟衬底晶片的清洗方法 [P].

郑金龙 ;

周铁军 ;

马金峰 ;

刘良副 ;

董晨晨 ;

曾琦 ;

宋向荣 .

中国专利 :CN113793801A ,2021-12-14

[4]

一种磷化铟衬底的清洗方法 [P].

郑金龙 ;

杨士超 ;

周铁军 .

中国专利 :CN112382555B ,2024-07-19

[5]

一种磷化铟衬底的清洗方法 [P].

郑金龙 ;

杨士超 ;

周铁军 .

中国专利 :CN112382555A ,2021-02-19

[6]

一种磷化铟研磨工艺与磷化铟 [P].

邢峥 ;

李海淼 .

中国专利 :CN114536208A ,2022-05-27

[7]

一种磷化铟芯片抛光用腐蚀液、磷化铟芯片抛光方法及磷化铟芯片 [P].

王波 ;

凌龙 ;

方文德 .

中国专利 :CN119592381A ,2025-03-11

[8]

一种磷化铟衬底研磨加工方法 [P].

房现阁 ;

王卿伟 ;

罗海林 ;

童三红 ;

陈仕天 ;

易宁 .

中国专利 :CN119772775A ,2025-04-08

[9]

一种磷化铟衬底的抛光装置 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

王阳 ;

李晓岚 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

付莉杰 ;

刘铮 ;

孙同年 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN214723256U ,2021-11-16

[10]

一种磷化铟衬底的抛光装置 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

王阳 ;

李晓岚 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

付莉杰 ;

刘铮 ;

孙同年 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN112847114A ,2021-05-28

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