曝光掩模

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95102281.4

申请日：

1995-03-11

公开(公告)号：

CN1116731A

公开(公告)日：

1996-02-14

发明(设计)人：

黄儁

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川郡

IPC主分类号：

G03F100

IPC分类号：

代理机构：

北京市中原信达知识产权代理公司

代理人：

余朦

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-02-14	公开	公开
2009-05-13	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1996-02-14	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2002-11-27	授权	授权

共 50 条

[1]

曝光掩模和使用该曝光掩模的曝光方法 [P].

李树雄 ;

白尚润 .

中国专利 :CN1637594A ,2005-07-13

[2]

光掩模和曝光方法 [P].

宅岛克宏 ;

安井孝史 .

中国专利 :CN101075086A ,2007-11-21

[3]

光掩模与曝光方法 [P].

黄启清 .

中国专利 :CN101105624A ,2008-01-16

[4]

曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法 [P].

宋柱京 ;

尹炯舜 .

中国专利 :CN101750879B ,2010-06-23

[5]

曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 [P].

郑龙淳 .

中国专利 :CN101206394A ,2008-06-25

[6]

光图案曝光方法,光掩模及光掩模坯料 [P].

吉川博树 ;

稻月判臣 ;

小板桥龙二 ;

金子英雄 ;

小岛洋介 ;

原口崇 ;

广濑智一 .

中国专利 :CN103135362B ,2013-06-05

[7]

多曝光半导体制造掩模组及制造这种多曝光掩模组的方法 [P].

李斗烈 ;

吴锡焕 ;

吕起成 ;

禹相均 ;

李淑 ;

朴柱温 ;

丁成坤 .

中国专利 :CN1758138A ,2006-04-12

[8]

曝光掩模图形的形成方法,曝光掩模图形,以及半导体器件的制作方法 [P].

小川和久 ;

川原和义 .

中国专利 :CN100507715C ,2005-07-27

[9]

用于半导体器件中的曝光掩模 [P].

文承灿 .

中国专利 :CN1129852A ,1996-08-28

[10]

半导体制造方法和曝光掩模 [P].

杉本文利 .

中国专利 :CN1716535A ,2006-01-04

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