将自组装纳米结构图案化及形成多孔电介质的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810128529.6

申请日：

2008-06-19

公开(公告)号：

CN101335190A

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

陈光荣李伟健杨海宁

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L21311 H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

宋莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-31	公开	公开
2012-08-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101312741266 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2008101285296 申请日:20080619 授权公告日:20100811 终止日期:20110619
2010-08-11	授权	授权
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

纳米结构图案的制造方法 [P].

R·贾甘纳坦 ;

Y·Q·饶 ;

X·－D·米 .

中国专利 :CN101174085A ,2008-05-07

[2]

使用压印光刻的纳米结构图案化 [P].

詹姆斯·J·沃特金斯 ;

罗希特·科塔里 .

中国专利 :CN109414726A ,2019-03-01

[3]

一种微纳米结构图案的转印装置及方法 [P].

王维汉 ;

林家弘 ;

何侑伦 ;

巫震华 .

中国专利 :CN1716091B ,2006-01-04

[4]

使用自组装核酸形成纳米结构的方法及其纳米结构 [P].

斯科特·E·西里斯 ;

古尔特杰·S·桑胡 .

中国专利 :CN112967926A ,2021-06-15

[5]

使用自组装核酸形成纳米结构的方法及其纳米结构 [P].

斯科特·E·西里斯 ;

古尔特杰·S·桑胡 .

美国专利 :CN112967926B ,2025-02-07

[6]

使用自组装核酸形成纳米结构的方法及其纳米结构 [P].

斯科特·E·西里斯 ;

古尔特杰·S·桑胡 .

中国专利 :CN107430984B ,2017-12-01

[7]

一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法 [P].

曾阿梅 ;

陈静 ;

方长青 ;

程有亮 .

中国专利 :CN114415468A ,2022-04-29

[8]

一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法 [P].

曾阿梅 ;

陈静 ;

方长青 ;

程有亮 .

中国专利 :CN114415468B ,2025-05-23

[9]

一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法 [P].

李若松 ;

黄翀 .

中国专利 :CN108091552B ,2018-05-29

[10]

制造图案化的铁电介质的方法 [P].

西蒙·布赫勒曼 ;

洪承范 .

中国专利 :CN1841660A ,2006-10-04

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