半导体器件和堆叠半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110206935.1

申请日：

2011-07-22

公开(公告)号：

CN102376691A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

菅原武则

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2358

IPC分类号：

G01R313185 H01L25065

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

周少杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101484753407 IPC(主分类):H01L 23/58 专利申请号:2011102069351 申请日:20110722
2016-02-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727337273 IPC(主分类):H01L 23/58 专利申请号:2011102069351 申请公布日:20120314
2012-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体器件 [P].

五十栖洋一 ;

别井隆文 ;

仮屋崎修一 .

中国专利 :CN115377066A ,2022-11-22

[2]

半导体器件和半导体装置 [P].

河阪俊行 ;

仓知俊介 .

日本专利 :CN112864028B ,2024-11-29

[3]

半导体器件和半导体装置 [P].

河阪俊行 ;

仓知俊介 .

中国专利 :CN112864028A ,2021-05-28

[4]

半导体器件和半导体装置 [P].

沼部英雄 ;

立野孝治 ;

小岛勇介 ;

横井芳彦 ;

石田慎哉 ;

松浦仁 .

中国专利 :CN107359155A ,2017-11-17

[5]

半导体器件和半导体装置 [P].

K.霍赛尼 ;

A.毛德 .

中国专利 :CN203521403U ,2014-04-02

[6]

半导体器件和包括该半导体器件的半导体装置 [P].

山口哲司 ;

长畑和典 ;

三浦利仁 ;

泷本香织 .

中国专利 :CN103972254B ,2014-08-06

[7]

半导体器件、半导体装置和用于制备半导体器件的方法 [P].

陈毅坚 ;

李西军 ;

宋春燕 .

中国专利 :CN119545900A ,2025-02-28

[8]

半导体器件和包括半导体器件的半导体系统 [P].

崔永根 .

中国专利 :CN105321549A ,2016-02-10

[9]

半导体器件以及包括半导体器件的半导体装置 [P].

C·R·米勒 ;

S·布施霍恩 ;

J·G·拉文 .

中国专利 :CN112054022A ,2020-12-08

[10]

半导体器件及半导体装置 [P].

富田一行 ;

三宅慎一 ;

半泽克彦 .

日本专利 :CN118451551A ,2024-08-06

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