非冷却光半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110443630.2

申请日：

2011-12-27

公开(公告)号：

CN102593712A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

冈田规男

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S5026

IPC分类号：

G02F1017

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

毛立群;王忠忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-18	公开	公开
2016-02-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101647079636 IPC(主分类):H01S 5/026 专利号:ZL2011104436302 申请日:20111227 授权公告日:20140813 终止日期:20141227
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327314446 IPC(主分类):H01S 5/026 专利申请号:2011104436302 申请日:20111227
2014-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

光半导体装置 [P].

奥田真也 .

日本专利 :CN119866582A ,2025-04-22

[2]

光半导体装置及其制造方法 [P].

高木和久 .

中国专利 :CN103515841B ,2014-01-15

[3]

光半导体装置 [P].

泷口透 .

中国专利 :CN103138156A ,2013-06-05

[4]

光半导体装置 [P].

境野刚 .

中国专利 :CN105811239B ,2016-07-27

[5]

光半导体装置 [P].

中村直干 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN107666110A ,2018-02-06

[6]

光半导体装置 [P].

黑木公治 .

中国专利 :CN103515838A ,2014-01-15

[7]

光半导体装置 [P].

中村光一 ;

望月敬太 .

日本专利 :CN117546379A ,2024-02-09

[8]

光半导体装置 [P].

笹畑圭史 ;

泷口透 ;

松本启资 ;

高林正和 .

中国专利 :CN103633555A ,2014-03-12

[9]

光半导体装置 [P].

永尾龙介 ;

奥贯雄一郎 ;

松本启资 .

中国专利 :CN113841310A ,2021-12-24

[10]

光半导体装置 [P].

铃木洋介 ;

奥贯雄一郎 ;

境野刚 ;

中村直干 ;

铃木凉子 .

中国专利 :CN107039881B ,2017-08-11

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