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光半导体装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280099533.2
申请日：
2022-09-27
公开(公告)号：
CN119866582A
公开(公告)日：
2025-04-22
发明(设计)人：
奥田真也
申请人：
三菱电机株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01S5/026
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
张青
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-09 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/026申请日:20220927
2025-04-22 公开 公开
共 50 条
[1]
光半导体装置 [P]. 
永尾龙介 ;
望月敬太 ;
柳乐崇 .
日本专利 :CN116349097B ,2025-07-15
[2]
非冷却光半导体装置 [P]. 
冈田规男 .
中国专利 :CN102593712A ,2012-07-18
[3]
光半导体装置、具备光半导体装置的光传送装置以及光传送装置的制造方法 [P]. 
奥田真也 .
日本专利 :CN119816779A ,2025-04-11
[4]
光半导体装置及其制造方法 [P]. 
高木和久 .
中国专利 :CN103515841B ,2014-01-15
[5]
半导体激光器装置 [P]. 
大和屋武 ;
柳乐崇 .
日本专利 :CN114175427B ,2024-04-19
[6]
半导体激光器装置 [P]. 
大和屋武 ;
柳乐崇 .
中国专利 :CN114175427A ,2022-03-11
[7]
光半导体装置 [P]. 
泷口透 .
中国专利 :CN103138156A ,2013-06-05
[8]
光半导体装置 [P]. 
境野刚 .
中国专利 :CN105811239B ,2016-07-27
[9]
光半导体装置 [P]. 
渊田步 ;
境野刚 .
日本专利 :CN118541886A ,2024-08-23
[10]
光半导体装置 [P]. 
岩井誉贵 ;
竹原浩成 .
中国专利 :CN101901849A ,2010-12-01
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