多阻态忆阻器的控制方法、装置及测试平台

被引：0

申请号：

CN202210474932.4

申请日：

2022-04-29

公开(公告)号：

CN115083474A

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

吴华强于健高滨唐建石赵美然

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

G11C1300

IPC分类号：

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

黄德海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种多阻态忆阻器 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

陈冰 ;

李悦 ;

于迪 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102832343A ,2012-12-19

[2]

三维忆阻器阵列的阻态切换方法及装置 [P].

杨睿 ;

熊大鹏 ;

李涛 .

中国专利 :CN117437954A ,2024-01-23

[3]

忆阻器制备方法、忆阻器及设备 [P].

刘碧录 ;

陈文骏 ;

张荣杰 ;

郑荣戌 .

中国专利 :CN113675336A ,2021-11-19

[4]

忆阻器装置以及制造忆阻器装置的方法 [P].

M·巴斯卡兰 ;

S·斯里拉姆 ;

S·瓦利亚 ;

H·N·艾哈迈达巴迪 .

中国专利 :CN108475727A ,2018-08-31

[5]

忆阻器的制备方法，以及忆阻器 [P].

焦丽颖 ;

李哲威 .

中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28

[6]

忆阻器及忆阻器使用方法 [P].

刘雨亭 ;

赵维巍 ;

赵见远 .

中国专利 :CN120954464A ,2025-11-14

[7]

一种多阻态铁电忆阻器及其制备方法 [P].

韩聪 ;

罗旭光 ;

王新朋 ;

童祎 .

中国专利 :CN121194689A ,2025-12-23

[8]

基于层状多相二硫化铼多阻态忆阻器的制备方法及应用 [P].

隋皓宇 ;

唐羽倩 ;

张家毓 ;

顾佳君 ;

王韵 ;

张金磊 .

中国专利 :CN118984645A ,2024-11-19

[9]

忆阻器的测试方法、装置、电子设备及介质 [P].

崔狮雨 ;

时拓 ;

周睿晰 ;

陈美文 .

中国专利 :CN120183478A ,2025-06-20

[10]

基于忆阻器和晶体管的存储器及实现多阻态的方法 [P].

刘力锋 ;

于迪 ;

李悦 ;

陈冰 ;

张飞飞 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102709306A ,2012-10-03

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