一种多阻态铁电忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510881844.X

申请日：

2025-06-27

公开(公告)号：

CN121194689A

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

韩聪罗旭光王新朋童祎

申请人：

苏州实验室

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区若水路388号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 C23C14/35 C23C14/06 C23C14/34

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

黄海霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种多阻态忆阻器 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

陈冰 ;

李悦 ;

于迪 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102832343A ,2012-12-19

[2]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[3]

忆阻器及其制备方法 [P].

何南 ;

堵大为 ;

童祎 .

中国专利 :CN111900249A ,2020-11-06

[4]

一种氮化铝掺杂钪铁电薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

贾刚 ;

白建婷 ;

薛喆 ;

闫小兵 .

中国专利 :CN120201922A ,2025-06-24

[5]

忆阻器的制备方法，以及忆阻器 [P].

焦丽颖 ;

李哲威 .

中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28

[6]

一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法 [P].

李小丽 ;

贾娟 ;

李洁 ;

李燕春 ;

许小红 .

中国专利 :CN105161616B ,2015-12-16

[7]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

俞景豪 ;

刘晓艳 ;

华传洋 ;

王正 ;

叶鹏飞 ;

王磊 ;

童祎 .

中国专利 :CN113725357A ,2021-11-30

[8]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

宫建茹 ;

王永志 ;

尹彬沣 ;

郭北斗 .

中国专利 :CN111883656A ,2020-11-03

[9]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

赵鸿滨 ;

屠海令 ;

魏峰 ;

张艳 ;

杜军 .

中国专利 :CN104752608A ,2015-07-01

[10]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

宫建茹 ;

王永志 ;

尹彬沣 ;

郭北斗 .

中国专利 :CN111883656B ,2025-01-10

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