一种多阻态忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210348359.9

申请日：

2012-09-18

公开(公告)号：

CN102832343A

公开(公告)日：

2012-12-19

发明(设计)人：

刘力锋后羿陈冰李悦于迪高滨韩德栋王漪康晋锋张兴

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王莹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101391743809 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2012103483599 申请日:20120918
2012-12-19	公开	公开
2014-06-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多阻态铁电忆阻器及其制备方法 [P].

韩聪 ;

罗旭光 ;

王新朋 ;

童祎 .

中国专利 :CN121194689A ,2025-12-23

[2]

一种用于实现阻态连续变化的阵列忆阻器 [P].

何南 ;

刘鑫伟 ;

张繆城 ;

童祎 ;

贺林 ;

连晓娟 ;

万相 .

中国专利 :CN110137350A ,2019-08-16

[3]

一种忆阻器 [P].

诸葛飞 ;

胡令祥 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN106299114A ,2017-01-04

[4]

一种忆阻器 [P].

王璐 ;

左泽 ;

张夏凡 ;

温殿忠 .

中国专利 :CN221228166U ,2024-06-25

[5]

一种忆阻层及忆阻器 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103280526B ,2013-09-04

[6]

忆阻器的制备方法，以及忆阻器 [P].

焦丽颖 ;

李哲威 .

中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28

[7]

多阻态忆阻器的控制方法、装置及测试平台 [P].

吴华强 ;

于健 ;

高滨 ;

唐建石 ;

赵美然 .

中国专利 :CN115083474A ,2022-09-20

[8]

一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法 [P].

李小丽 ;

贾娟 ;

李洁 ;

李燕春 ;

许小红 .

中国专利 :CN105161616B ,2015-12-16

[9]

一种多阻态阻变存储器 [P].

赵金石 ;

邵兴隆 ;

马辰铭 ;

周立伟 ;

陈长军 .

中国专利 :CN103199194A ,2013-07-10

[10]

一种模拟多级阻态忆阻器的等效电路 [P].

刘振 ;

戴国树 ;

容泽仁 ;

陆浩冬 ;

黄慧燕 ;

陈晓媚 .

中国专利 :CN117669450A ,2024-03-08

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