一种忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610813160.7

申请日：

2016-09-09

公开(公告)号：

CN106299114A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

诸葛飞胡令祥曹鸿涛

申请人：

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

刘诚午

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700809224 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2016108131607 申请日:20160909
2019-03-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20170104

共 50 条

[1]

一种忆阻器及其应用 [P].

诸葛飞 ;

胡令祥 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN106654009A ,2017-05-10

[2]

一种忆阻器 [P].

王璐 ;

左泽 ;

张夏凡 ;

温殿忠 .

中国专利 :CN221228166U ,2024-06-25

[3]

一种光电神经突触忆阻器 [P].

黄安平 ;

姬宇航 ;

高勤 ;

王玫 ;

肖志松 .

中国专利 :CN113629187A ,2021-11-09

[4]

一种光电神经突触忆阻器 [P].

黄安平 ;

姬宇航 ;

高勤 ;

王玫 ;

肖志松 .

中国专利 :CN113629187B ,2024-01-02

[5]

一种多阻态忆阻器 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

陈冰 ;

李悦 ;

于迪 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102832343A ,2012-12-19

[6]

一种忆阻层及忆阻器 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103280526B ,2013-09-04

[7]

忆阻器的制备方法，以及忆阻器 [P].

焦丽颖 ;

李哲威 .

中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28

[8]

一种双阻变层忆阻器及制备方法 [P].

叶葱 ;

刘磊 ;

柯善武 ;

刘炎欣 .

中国专利 :CN110676375A ,2020-01-10

[9]

一种全碳忆阻器及其制备方法 [P].

诸葛飞 ;

竺臻楠 ;

俞家欢 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN108682738B ,2018-10-19

[10]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

张法碧 ;

刘志强 ;

周娟 ;

李海鸥 ;

孙堂友 ;

刘兴鹏 ;

王阳培华 ;

陈赞辉 ;

邓兴 ;

谢仕锋 ;

李跃 ;

杨万里 .

中国专利 :CN120018769A ,2025-05-16

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