具有全环式接触件的FinFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410281068.1

申请日：

2014-06-20

公开(公告)号：

CN104979396A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

黄玉莲李东颖

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-16	授权	授权
2015-10-14	公开	公开
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633314794 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102810681 申请日:20140620

共 50 条

[1]

具有低源极/漏极接触电阻的FinFET [P].

黄玉莲 ;

李东颖 .

中国专利 :CN104952924B ,2015-09-30

[2]

在介电栅极上方具有接触件的FinFET器件结构和方法 [P].

陈芳 ;

廖忠志 .

中国专利 :CN110556374A ,2019-12-10

[3]

具有子鳍电接触的相邻结构的环栅集成电路结构 [P].

B·古哈 ;

W·徐 ;

林崇勋 ;

K·波亚 ;

O·戈隆茨卡 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN112992897A ,2021-06-18

[4]

具有可焊接环接触件的半导体装置 [P].

李相道 ;

玛吉·T·里奥斯 .

中国专利 :CN101405861A ,2009-04-08

[5]

FinFET接触结构的制造方法 [P].

韩秋华 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN103137457A ,2013-06-05

[6]

具有不全接触通孔栈的密封环结构 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN1988155A ,2007-06-27

[7]

堆叠的全环栅FinFET及其形成方法 [P].

江国诚 ;

刘继文 ;

梁英强 .

中国专利 :CN105895694B ,2016-08-24

[8]

具有减少的寄生电容量的FinFET及其制造方法 [P].

黄玉莲 ;

吕昆谚 .

中国专利 :CN103985711B ,2014-08-13

[9]

具有径向偏移接触指的电镀接触环 [P].

格雷戈里·J·威尔逊 .

中国专利 :CN108701643B ,2018-10-23

[10]

具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构 [P].

B.古哈 ;

W.徐 ;

L.P.古勒 ;

D.M.克鲁姆 ;

T.加尼 .

美国专利 :CN117457652A ,2024-01-26

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