具有径向偏移接触指的电镀接触环

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780012592.0

申请日：

2017-03-17

公开(公告)号：

CN108701643B

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

格雷戈里·J·威尔逊

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21687

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

梁挥;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-23	公开	公开
2022-11-11	授权	授权
2018-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/687 申请日:20170317

共 50 条

[1]

具有屏蔽的接触环的电镀处理器 [P].

格雷戈里·J·威尔逊 ;

保罗·R·麦克休 .

中国专利 :CN104054160B ,2014-09-17

[2]

基底板、接触环、唇缘密封件与接触环以及电镀设备和电镀方法 [P].

维奈·普拉巴卡 ;

布赖恩·L·巴卡柳 ;

古斯·加内桑 ;

珊迪纳斯·古奈加迪 ;

何志安 ;

史蒂文·T·迈尔 ;

罗伯特·拉什 ;

乔纳森·D·里德 ;

高田雄一 ;

詹姆斯·R·齐布里达 .

中国专利 :CN101798698A ,2010-08-11

[3]

具有接触环除镀功能的电镀设备 [P].

兰迪·A·哈里斯 ;

布赖恩·J·普奇 .

中国专利 :CN103695990A ,2014-04-02

[4]

接触环和接触系统 [P].

I.伊万诺夫 ;

M.伯格哈特 ;

H.施密特 ;

H.波洛克 ;

S.萨克斯 ;

M.沃尔夫 ;

C.科斯马尔斯基 ;

M.利斯廷 ;

U.布尔杜克 ;

J.费蒂格 ;

W.迪特里希 .

中国专利 :CN113594742A ,2021-11-02

[5]

由接触环造型控制的电镀均匀性 [P].

H·赫晨 ;

H·豪 ;

C·M·伊斯坦布恩 ;

T·R·韦伯 ;

S·N·特瑞恩 .

中国专利 :CN1714177A ,2005-12-28

[6]

具有全环式接触件的FinFET [P].

黄玉莲 ;

李东颖 .

中国专利 :CN104979396A ,2015-10-14

[7]

电性接触垫的电镀方法及具有电性接触垫的半导体基板 [P].

陈敏尧 ;

王建皓 .

中国专利 :CN101339908B ,2009-01-07

[8]

具有接触的深阱区域的晶体管 [P].

G.伊姆特恩 .

中国专利 :CN107667417B ,2018-02-06

[9]

用于等离子体切割的接近接触盖环 [P].

詹姆斯·M·霍顿 ;

亚历山大·N·勒纳 ;

阿杰伊·库马尔 ;

阿帕娜·伊耶 ;

艾伦·希罗什·奥叶 .

中国专利 :CN107078015B ,2017-08-18

[10]

具有可焊接环接触件的半导体装置 [P].

李相道 ;

玛吉·T·里奥斯 .

中国专利 :CN101405861A ,2009-04-08

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