具有接触的深阱区域的晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680029687.9

申请日：

2016-05-31

公开(公告)号：

CN107667417B

公开(公告)日：

2018-02-06

发明(设计)人：

G.伊姆特恩

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡

IPC主分类号：

H01L21225

IPC分类号：

H01L21283 H01L2906 H01L2910 H01L2940 H01L29423 H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	公开	公开
2022-04-19	授权	授权
2018-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/225 申请日:20160531

共 50 条

[1]

具有通过栅植入的深N阱的晶体管 [P].

M·南达库玛 .

中国专利 :CN104051343B ,2014-09-17

[2]

用于形成与量子阱晶体管的接触的技术 [P].

R·皮拉里塞 ;

J·T·卡瓦列罗斯 ;

B·舒-金 ;

W·拉赫马迪 ;

M·K·胡代特 ;

N·慕克吉 ;

M·拉多萨夫列维奇 ;

R·S·周 .

中国专利 :CN105762146A ,2016-07-13

[3]

用于形成与量子阱晶体管的接触的技术 [P].

R·皮拉里塞 ;

J·T·卡瓦列罗斯 ;

B·舒-金 ;

W·拉赫马迪 ;

M·K·胡代特 ;

N·慕克吉 ;

M·拉多萨夫列维奇 ;

R·S·周 .

中国专利 :CN102668089A ,2012-09-12

[4]

在晶体管的有源区域中具有I/O端口的晶体管 [P].

I·克哈莉 ;

K·金 ;

H·卡比尔 .

中国专利 :CN114068580A ,2022-02-18

[5]

晶体管和用于制作晶体管的方法 [P].

J·H·张 .

中国专利 :CN109461702A ,2019-03-12

[6]

具有环绕接触的纳米片晶体管 [P].

J·弗鲁吉尔 ;

谢瑞龙 ;

程慷果 ;

朴灿鲁 .

中国专利 :CN114695350A ,2022-07-01

[7]

具有减少泄露阱衬底结的MOS晶体管 [P].

T·J·伯德伦 ;

A·查特吉 .

中国专利 :CN104541375B ,2015-04-22

[8]

晶体管接触区域增强 [P].

R·梅汉德鲁 ;

T·加尼 ;

S·塞亚 .

中国专利 :CN110660860A ,2020-01-07

[9]

具有带有凸起延伸区域的晶体管的设备和形成此类晶体管的方法 [P].

刘海涛 .

中国专利 :CN112133702A ,2020-12-25

[10]

具有金属场板接触件的晶体管 [P].

席史·M·潘迪 ;

R·克里什纳萨米 ;

朱德尚·R·侯尔特 ;

陈忠锋 .

美国专利 :CN118016712A ,2024-05-10

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