功率半导体器件制作方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510740640.0

申请日：

2015-11-04

公开(公告)号：

CN105336581A

公开(公告)日：

2016-02-17

发明(设计)人：

贺洪露陈辉罗海辉谭灿健宁旭斌刘太忠

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21331 H01L2167

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

张文娟;朱绘

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-17	公开	公开
2016-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101650135904 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015107406400 申请日:20151104
2019-08-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20160217

共 50 条

[1]

功率半导体器件制作方法及功率半导体器件 [P].

段雪 ;

洪求龙 ;

银军 ;

李明磊 ;

黄雒光 ;

张志国 ;

高永辉 ;

徐会博 .

中国专利 :CN110137092B ,2019-08-16

[2]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117410328A ,2024-01-16

[3]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

陈张笑雄 ;

龚逸品 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117410329A ,2024-01-16

[4]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117497581A ,2024-02-02

[5]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

林永发 ;

张家豪 ;

石逸群 .

中国专利 :CN103545369A ,2014-01-29

[6]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

胡振世 ;

张琳英 .

中国专利 :CN119384027A ,2025-01-28

[7]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230705A ,2017-10-03

[8]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

魏晓光 ;

唐新灵 ;

王亮 ;

林仲康 ;

代安琪 ;

石浩 ;

杜玉杰 ;

韩荣刚 ;

张红丹 .

中国专利 :CN118522706B ,2025-04-29

[9]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

石浩 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

吴沛飞 ;

焦倩倩 .

中国专利 :CN118522751A ,2024-08-20

[10]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

石浩 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

吴沛飞 ;

焦倩倩 .

中国专利 :CN118522751B ,2025-03-25

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