金属薄膜以及金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410056816.6

申请日：

2014-02-19

公开(公告)号：

CN103993262A

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

村田英夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1418

IPC分类号：

C23C1434 C22C2704

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	公开	公开
2016-04-06	授权	授权
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586962272 IPC(主分类):C23C 14/18 专利申请号:2014100568166 申请日:20140219

共 50 条

[1]

电子部件用金属薄膜以及金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材 [P].

村田英夫 .

中国专利 :CN104046947B ,2014-09-17

[2]

溅射靶材及氧化金属薄膜 [P].

卢明昌 ;

郭芝吟 ;

尹新淳 ;

张智咏 .

中国专利 :CN103540895A ,2014-01-29

[3]

Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材 [P].

村田英夫 ;

上滩真史 ;

井上惠介 .

中国专利 :CN103990802B ,2014-08-20

[4]

Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材 [P].

村田英夫 ;

上滩真史 ;

井上惠介 .

中国专利 :CN103173728A ,2013-06-26

[5]

溅射靶材及导电金属氧化物薄膜 [P].

卢明昌 ;

尹新淳 ;

张智咏 ;

曾浤豪 .

中国专利 :CN103849842B ,2014-06-11

[6]

溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 [P].

山崎舜平 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 ;

佐藤瞳 ;

渡边正宽 ;

增山光男 ;

冈崎健一 ;

中岛基 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN103290371B ,2013-09-11

[7]

溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 [P].

山崎舜平 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 ;

佐藤瞳 ;

渡边正宽 ;

增山光男 ;

冈崎健一 ;

中岛基 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN107419225B ,2017-12-01

[8]

溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 [P].

山崎舜平 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 ;

佐藤瞳 ;

渡边正宽 ;

增山光男 ;

冈崎健一 ;

中岛基 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN103124805A ,2013-05-29

[9]

金属系溅射靶材 [P].

稻熊徹 ;

坂本广明 ;

安藤彰朗 ;

大石忠美 ;

泉真吾 ;

中村元 .

中国专利 :CN101960042A ,2011-01-26

[10]

金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法 [P].

大迫敏行 ;

佐藤岩 ;

森本敏夫 .

中国专利 :CN1614059A ,2005-05-11

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