光刻叠对校正以及光刻工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910439073.3
申请日
2019-05-24
公开(公告)号
CN110543083A
公开(公告)日
2019-12-06
发明(设计)人
洪爱真 李永尧 刘恒信 王景澄 王盈盈
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
IPC主分类号
G03F900
IPC分类号
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
龚诗靖
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
光刻工艺以及光刻装置 [P]. 
王平 ;
许建勇 .
中国专利 :CN113296362A ,2021-08-24
[2]
光刻工艺 [P]. 
李永尧 ;
王盈盈 ;
刘恒信 ;
林进祥 .
中国专利 :CN103543611B ,2014-01-29
[3]
校正光刻工艺的方法 [P]. 
杨正伟 ;
黄祖文 ;
黄至坚 .
中国专利 :CN115407613A ,2022-11-29
[4]
光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法 [P]. 
王剑 ;
毛智彪 ;
戴韫青 .
中国专利 :CN102360168B ,2012-02-22
[5]
光刻工艺方法 [P]. 
官锡俊 .
中国专利 :CN110767540A ,2020-02-07
[6]
光刻工艺方法 [P]. 
冷国庆 ;
邢会锋 ;
尹静娟 ;
陈倩 .
中国专利 :CN116072519B ,2025-12-09
[7]
光刻工艺方法 [P]. 
李伟峰 ;
王雷 .
中国专利 :CN105527798A ,2016-04-27
[8]
光刻工艺方法 [P]. 
游信胜 ;
余青芳 ;
王文娟 ;
许庭豪 ;
秦圣基 ;
严涛南 .
中国专利 :CN109307989B ,2019-02-05
[9]
光刻工艺方法 [P]. 
官锡俊 .
中国专利 :CN110632829A ,2019-12-31
[10]
光刻工艺方法 [P]. 
刘华明 .
中国专利 :CN110634732B ,2019-12-31