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光刻叠对校正以及光刻工艺
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910439073.3
申请日
:
2019-05-24
公开(公告)号
:
CN110543083A
公开(公告)日
:
2019-12-06
发明(设计)人
:
洪爱真
李永尧
刘恒信
王景澄
王盈盈
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
IPC主分类号
:
G03F900
IPC分类号
:
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
龚诗靖
法律状态
:
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-09
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F 9/00 申请公布日:20191206
2019-12-06
公开
公开
共 50 条
[1]
光刻工艺以及光刻装置
[P].
王平
论文数:
0
引用数:
0
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0
王平
;
许建勇
论文数:
0
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0
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许建勇
.
中国专利
:CN113296362A
,2021-08-24
[2]
光刻工艺
[P].
李永尧
论文数:
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李永尧
;
王盈盈
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王盈盈
;
刘恒信
论文数:
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刘恒信
;
林进祥
论文数:
0
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0
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林进祥
.
中国专利
:CN103543611B
,2014-01-29
[3]
校正光刻工艺的方法
[P].
杨正伟
论文数:
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杨正伟
;
黄祖文
论文数:
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黄祖文
;
黄至坚
论文数:
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黄至坚
.
中国专利
:CN115407613A
,2022-11-29
[4]
光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法
[P].
王剑
论文数:
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王剑
;
毛智彪
论文数:
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毛智彪
;
戴韫青
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戴韫青
.
中国专利
:CN102360168B
,2012-02-22
[5]
光刻工艺方法
[P].
官锡俊
论文数:
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官锡俊
.
中国专利
:CN110767540A
,2020-02-07
[6]
光刻工艺方法
[P].
冷国庆
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
冷国庆
;
邢会锋
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
邢会锋
;
尹静娟
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
尹静娟
;
陈倩
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
陈倩
.
中国专利
:CN116072519B
,2025-12-09
[7]
光刻工艺方法
[P].
李伟峰
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0
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李伟峰
;
王雷
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王雷
.
中国专利
:CN105527798A
,2016-04-27
[8]
光刻工艺方法
[P].
游信胜
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游信胜
;
余青芳
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余青芳
;
王文娟
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王文娟
;
许庭豪
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许庭豪
;
秦圣基
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秦圣基
;
严涛南
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严涛南
.
中国专利
:CN109307989B
,2019-02-05
[9]
光刻工艺方法
[P].
官锡俊
论文数:
0
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0
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0
官锡俊
.
中国专利
:CN110632829A
,2019-12-31
[10]
光刻工艺方法
[P].
刘华明
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0
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0
刘华明
.
中国专利
:CN110634732B
,2019-12-31
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