光刻工艺以及光刻装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010109981.9
申请日
2020-02-23
公开(公告)号
CN113296362A
公开(公告)日
2021-08-24
发明(设计)人
王平 许建勇
申请人
申请人地址
330013 江西省南昌市昌北经济开发区黄家湖西路欧菲光科技园
IPC主分类号
G03F720
IPC分类号
G03F900
代理机构
北京恒博知识产权代理有限公司 11528
代理人
范胜祥
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
光刻叠对校正以及光刻工艺 [P]. 
洪爱真 ;
李永尧 ;
刘恒信 ;
王景澄 ;
王盈盈 .
中国专利 :CN110543083A ,2019-12-06
[2]
光刻工艺 [P]. 
李永尧 ;
王盈盈 ;
刘恒信 ;
林进祥 .
中国专利 :CN103543611B ,2014-01-29
[3]
光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法 [P]. 
王剑 ;
毛智彪 ;
戴韫青 .
中国专利 :CN102360168B ,2012-02-22
[4]
光刻工艺方法 [P]. 
官锡俊 .
中国专利 :CN110767540A ,2020-02-07
[5]
光刻工艺方法 [P]. 
冷国庆 ;
邢会锋 ;
尹静娟 ;
陈倩 .
中国专利 :CN116072519B ,2025-12-09
[6]
光刻工艺方法 [P]. 
李伟峰 ;
王雷 .
中国专利 :CN105527798A ,2016-04-27
[7]
光刻工艺方法 [P]. 
游信胜 ;
余青芳 ;
王文娟 ;
许庭豪 ;
秦圣基 ;
严涛南 .
中国专利 :CN109307989B ,2019-02-05
[8]
光刻工艺方法 [P]. 
官锡俊 .
中国专利 :CN110632829A ,2019-12-31
[9]
光刻工艺方法 [P]. 
刘华明 .
中国专利 :CN110634732B ,2019-12-31
[10]
光刻评价方法和光刻工艺 [P]. 
俵山和雄 ;
马越俊幸 .
中国专利 :CN100337307C ,2005-06-01