三维半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910226096.6

申请日：

2019-03-25

公开(公告)号：

CN110364533A

公开(公告)日：

2019-10-22

发明(设计)人：

尹壮根任峻成赵恩锡

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

H01L2711529 H01L2711548 H01L2711556 H01L271157 H01L2711573 H01L2711582 H01L21768

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

尹淑梅;刘灿强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	公开	公开
2021-09-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请公布日:20191022

共 50 条

[1]

三维半导体装置 [P].

任琫淳 ;

边大锡 .

韩国专利 :CN112466876B ,2024-09-24

[2]

三维半导体装置 [P].

郑恩宅 ;

李星勳 .

中国专利 :CN110098191A ,2019-08-06

[3]

三维半导体装置 [P].

梁辰旭 ;

朴星一 ;

朴宰贤 ;

佳尚原田 .

韩国专利 :CN120358799A ,2025-07-22

[4]

三维半导体装置 [P].

任琫淳 ;

边大锡 .

中国专利 :CN112466876A ,2021-03-09

[5]

三维半导体装置 [P].

卢昶佑 ;

朴星一 ;

朴宰贤 .

韩国专利 :CN120916480A ,2025-11-07

[6]

三维半导体装置 [P].

郑恩宅 ;

李星勳 .

韩国专利 :CN110098191B ,2024-07-16

[7]

三维半导体装置结构和三维半导体装置 [P].

杰弗里·P·甘比诺 ;

S·伯萨克 .

中国专利 :CN214672598U ,2021-11-09

[8]

三维半导体装置和制造该三维半导体装置的方法 [P].

黄东勋 ;

全在镐 ;

金孝珍 ;

文炳镐 ;

朴敬美 ;

杨永镇 .

韩国专利 :CN120835594A ,2025-10-24

[9]

三维半导体装置 [P].

郑宸语 ;

韩宗廷 .

中国专利 :CN118870823A ,2024-10-29

[10]

三维半导体装置 [P].

殷东锡 ;

李宁浩 ;

李俊熙 ;

李锡元 ;

申有哲 .

中国专利 :CN108461475B ,2018-08-28

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