三维半导体装置和制造该三维半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411636970.0

申请日：

2024-11-15

公开(公告)号：

CN120835594A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

黄东勋全在镐金孝珍文炳镐朴敬美杨永镇

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D84/83 H10D84/85 H10D84/03

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

赵南;张帆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

三维半导体装置结构和三维半导体装置 [P].

杰弗里·P·甘比诺 ;

S·伯萨克 .

中国专利 :CN214672598U ,2021-11-09

[2]

三维半导体装置和形成三维半导体装置的方法 [P].

金俊亨 ;

申重植 ;

金光洙 .

中国专利 :CN112750838A ,2021-05-04

[3]

三维半导体装置 [P].

任琫淳 ;

边大锡 .

韩国专利 :CN112466876B ,2024-09-24

[4]

三维半导体装置 [P].

尹壮根 ;

任峻成 ;

赵恩锡 .

中国专利 :CN110364533A ,2019-10-22

[5]

三维半导体装置 [P].

郑恩宅 ;

李星勳 .

中国专利 :CN110098191A ,2019-08-06

[6]

三维半导体装置 [P].

梁辰旭 ;

朴星一 ;

朴宰贤 ;

佳尚原田 .

韩国专利 :CN120358799A ,2025-07-22

[7]

三维半导体装置 [P].

任琫淳 ;

边大锡 .

中国专利 :CN112466876A ,2021-03-09

[8]

三维半导体装置 [P].

卢昶佑 ;

朴星一 ;

朴宰贤 .

韩国专利 :CN120916480A ,2025-11-07

[9]

三维半导体装置 [P].

郑恩宅 ;

李星勳 .

韩国专利 :CN110098191B ,2024-07-16

[10]

三维半导体装置 [P].

郑宸语 ;

韩宗廷 .

中国专利 :CN118870823A ,2024-10-29

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