硅铝溅射靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610891073.3

申请日：

2016-10-13

公开(公告)号：

CN106498350A

公开(公告)日：

2017-03-15

发明(设计)人：

施玉良

申请人：

申请人地址：

224005 江苏省盐城市盐城高新区凤凰南路18号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C4134 C23C406

代理机构：

北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489

代理人：

谢磊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101712762824 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2016108910733 申请日:20161013
2019-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 14/34 申请公布日:20170315
2017-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

管状旋转高纯硅溅射靶材的制备方法 [P].

施玉良 .

中国专利 :CN106567045B ,2017-04-19

[2]

硅硼碳溅射靶材的制备工艺 [P].

施玉良 ;

徐文斌 .

中国专利 :CN113502456A ,2021-10-15

[3]

溅射靶材用硅锆合金的制备方法 [P].

李鹏廷 ;

王凯 ;

任世强 ;

谭毅 ;

姜大川 .

中国专利 :CN106367625A ,2017-02-01

[4]

溅射靶材及溅射靶材的制造方法 [P].

黑田稔显 ;

柴田宪治 ;

渡边和俊 ;

岩谷幸作 .

日本专利 :CN119731367A ,2025-03-28

[5]

溅射靶材的制造方法及溅射靶材 [P].

萩原淳一郎 ;

东秀一 ;

神原正三 .

中国专利 :CN102753722B ,2014-09-03

[6]

铝或铝合金溅射靶材的清洗方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

郑文翔 ;

刘庆 .

中国专利 :CN101709452A ,2010-05-19

[7]

溅射靶材及溅射靶材的主体 [P].

J·巴克菲勒 ;

R·埃勒 ;

J·瑞泽 ;

L·特伦 ;

G·奥福德 .

美国专利 :CN309057484S ,2025-01-07

[8]

溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶 [P].

松前和男 .

中国专利 :CN101631893A ,2010-01-20

[9]

溅射靶材及该溅射靶材的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

中岛基 ;

马场晴之 .

中国专利 :CN109477206A ,2019-03-15

[10]

ITO溅射靶材的制备方法 [P].

扈百直 ;

孙本双 ;

刘孝宁 ;

李凤光 ;

征卫星 ;

马文卫 ;

张红梅 .

中国专利 :CN101575203B ,2009-11-11

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