III族氮化物半导体元件及外延晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980112445.6

申请日：

2009-04-03

公开(公告)号：

CN101990698B

公开(公告)日：

2011-03-23

发明(设计)人：

善积祐介盐谷阳平上野昌纪中西文毅

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C30B2938 H01L3300 H01S5343

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101068903377 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2009801124456 申请日:20090403
2011-03-23	公开	公开
2018-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20090403 授权公告日:20130904 终止日期:20170403
2013-09-04	授权	授权

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

西塚幸司 .

中国专利 :CN103190042A ,2013-07-03

[2]

III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474075B ,2012-05-23

[3]

III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 .

中国专利 :CN103650263A ,2014-03-19

[4]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

[5]

III族氮化物半导体光元件、外延衬底 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

京野孝史 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474076B ,2012-05-23

[6]

III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法 [P].

上野昌纪 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102034910A ,2011-04-27

[7]

第III族氮化物基半导体元件 [P].

德山慎司 ;

上野昌纪 ;

足立真宽 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

片山浩二 ;

齐藤吉广 .

中国专利 :CN102422446A ,2012-04-18

[8]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102341977B ,2012-02-01

[9]

III族氮化物半导体激光元件及III族氮化物半导体激光元件的制造方法 [P].

京野孝史 ;

高木慎平 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN103329368A ,2013-09-25

[10]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102763293B ,2012-10-31

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