SOI和体硅混合晶圆结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610092270.9
申请日
2016-02-03
公开(公告)号
CN107039459A
公开(公告)日
2017-08-11
发明(设计)人
李冰
申请人
申请人地址
200437 上海市杨浦区逸仙路135号2号楼2楼
IPC主分类号
H01L2712
IPC分类号
H01L21762 H01L2184
代理机构
代理人
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
制备绝缘衬底上硅晶圆和器件的方法及其SOI晶圆 [P]. 
邢超 ;
王伟 .
中国专利 :CN120637311A ,2025-09-12
[2]
SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P]. 
陈光华 ;
程勇 ;
彭坤 .
中国专利 :CN121076006A ,2025-12-05
[3]
SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P]. 
陈光华 ;
程勇 ;
彭坤 .
中国专利 :CN121076005A ,2025-12-05
[4]
SOI晶圆及其制备方法 [P]. 
汪子文 ;
李名浩 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119584637A ,2025-03-07
[5]
SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法 [P]. 
魏星 ;
戴荣旺 ;
汪子文 ;
李名浩 ;
陈猛 ;
徐洪涛 .
中国专利 :CN114334792B ,2025-01-24
[6]
SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法 [P]. 
魏星 ;
戴荣旺 ;
汪子文 ;
李名浩 ;
陈猛 ;
徐洪涛 .
中国专利 :CN114334792A ,2022-04-12
[7]
SOI晶圆及其制备方法 [P]. 
汪子文 ;
周雨浩 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119584639A ,2025-03-07
[8]
SOI晶圆及其制备方法 [P]. 
汪子文 ;
李名浩 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119297151A ,2025-01-10
[9]
具有散热结构的SOI晶圆及其制备方法 [P]. 
刘森 ;
刘海彬 ;
罗建富 ;
刘兴龙 ;
史林森 ;
班桂春 .
中国专利 :CN114171475B ,2022-03-11
[10]
贴合式SOI晶圆的制造方法及贴合式SOI晶圆 [P]. 
目黑贤二 ;
若林大士 ;
小林德弘 .
中国专利 :CN106233426B ,2016-12-14