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制备绝缘衬底上硅晶圆和器件的方法及其SOI晶圆

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510820011.2
申请日：
2025-06-18
公开(公告)号：
CN120637311A
公开(公告)日：
2025-09-12
发明(设计)人：
邢超 王伟
申请人：
芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请人地址：
266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H10D86/00 H10D86/01
代理机构：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286
代理人：
黄海霞
法律状态：
公开
国省代码：
山东省 青岛市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-12 公开 公开
2025-09-30 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20250618
共 50 条
[1]
SOI和体硅混合晶圆结构及其制备方法 [P]. 
李冰 .
中国专利 :CN107039459A ,2017-08-11
[2]
SOI晶圆及其制备方法 [P]. 
汪子文 ;
李名浩 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119297151A ,2025-01-10
[3]
SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P]. 
陈光华 ;
程勇 ;
彭坤 .
中国专利 :CN121076006A ,2025-12-05
[4]
SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P]. 
陈光华 ;
程勇 ;
彭坤 .
中国专利 :CN121076005A ,2025-12-05
[5]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆 [P]. 
今井俊和 ;
吉田和彦 ;
二井谷美保 ;
若林大士 ;
石川修 .
中国专利 :CN112262455A ,2021-01-22
[6]
贴合式SOI晶圆的制造方法及贴合式SOI晶圆 [P]. 
目黑贤二 ;
若林大士 ;
小林德弘 .
中国专利 :CN106233426B ,2016-12-14
[7]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆 [P]. 
今井俊和 ;
吉田和彦 ;
二井谷美保 ;
若林大士 ;
石川修 .
日本专利 :CN112262455B ,2024-08-16
[8]
硅晶圆的研磨方法、硅晶圆的制造方法和硅晶圆 [P]. 
西村雅史 ;
田中宏知 .
中国专利 :CN110140195B ,2019-08-16
[9]
SOI晶圆及其制备方法 [P]. 
汪子文 ;
李名浩 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119584637A ,2025-03-07
[10]
SOI晶圆及其制备方法 [P]. 
汪子文 ;
周雨浩 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119584639A ,2025-03-07
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